這款非易失性內存是高端汽車市場高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)的理想之選

上海，2020年5月11日 – 富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布，推出型號為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高溫度下正常運行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V，配有串行外設接口(SPI)。目前可為客戶提供評測版樣品，將在6月實現(xiàn)量產(chǎn)。

這款全新FRAM產(chǎn)品是汽車電子電控單元的最佳選擇，滿足高端汽車市場對低功耗電子器件的需求，如ADAS。

FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，已有對傳統(tǒng)非易失性內存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。

自2017年以來，富士通電子不斷推出工作電壓3.3V或5V的64Kbit～2Mbit的汽車級FRAM產(chǎn)品。但高端汽車電控單元的推出，使得一些客戶開始要求FRAM的工作電壓低于1.8V。富士通電子近日推出的這款全新FRAM正是為了滿足這一市場需求而面世的。

MB85RS2MLY在-40°C至+125°C溫度范圍內可以達到10兆次讀/寫次數(shù)，適合某些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應用，比如連續(xù)10年每天每0.1秒記錄一次數(shù)據(jù)，則寫入次數(shù)將超過30億。另外，這款產(chǎn)品可靠性測試符合AEC-Q100 Grade 1標準，達到汽車級產(chǎn)品的認證標準。因此，在數(shù)據(jù)寫入耐久性和可靠性方面，富士通電子最新推出的這款FRAM完全支持ADAS等需要實時數(shù)據(jù)記錄的應用。

這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標準8-pin SOP封裝，可輕松取代現(xiàn)有類似引腳的EEPROM。此外，還提供外形尺寸為5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN(無引線雙側扁平)封裝。

富士通電子推出可在高溫下穩(wěn)定運行的新款2Mbit FRAM

圖3：8pin DFN和8pin SOP封裝

除2Mbit FRAM，富士通電子目前正在研發(fā)125°C溫度系列容量為4Mbit的存儲產(chǎn)品。富士通電子將繼續(xù)提供內存產(chǎn)品和解決方案，滿足市場和客戶的未來需求。

關鍵規(guī)格

·組件型號：MB85RS2MLY

·容量(組態(tài))：2 Mbit(256K x 8位)

·接口：SPI(Serial Peripheral Interface)

·運作頻率：最高50 MHz

·運作電壓：1.7伏特 - 1.95伏特

·運作溫度范圍：攝氏零下40度 - 攝氏125度

·讀∕寫耐用度：10兆次 (1013次)

·封裝規(guī)格：8-pin SOP與8-pin DFN

·認證標準：符合AEC-Q100 Grade 1

詞匯與備注

注一：鐵電隨機存取內存(FRAM)

FRAM是一種采用鐵電質薄膜作為電容器以儲存數(shù)據(jù)的內存，即便在沒有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結合了ROM和RAM的特性，并擁有高速寫入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫周期的優(yōu)點。富士通自1999年即開始生產(chǎn)FRAM，亦稱為FeRAM。

關于富士通電子元器件(上海)有限公司

富士通電子元器件(上海)有限公司是富士通在中國的半導體業(yè)務總部，于2003年8月成立，在北京、深圳、大連等地均設有分公司，負責統(tǒng)籌富士通在中國半導體的銷售業(yè)務。

富士通電子元器件(上海)有限公司的主要銷售產(chǎn)品包括 Custom SoCs (ASICs)，代工服務，專用標準產(chǎn)品(ASSPs)，鐵電隨機存儲器，繼電器，GaN(氮化鎵)，MCU和電源功率器件等，它們是以獨立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶，并廣泛應用于高性能光通信網(wǎng)絡設備、手持移動終端、影像設備、汽車、工業(yè)控制、家電、穿戴式設備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領域。

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