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這款非易失性內(nèi)存是高端汽車(chē)市場(chǎng)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)的理想之選
上海,2020年5月11日 – 富士通電子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型號(hào)為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM,可在125℃高溫度下正常運(yùn)行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V,配有串行外設(shè)接口(SPI)。目前可為客戶提供評(píng)測(cè)版樣品,將在6月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
這款全新FRAM產(chǎn)品是汽車(chē)電子電控單元的最佳選擇,滿足高端汽車(chē)市場(chǎng)對(duì)低功耗電子器件的需求,如ADAS。
FRAM的讀/寫(xiě)耐久性、寫(xiě)入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存,已有對(duì)傳統(tǒng)非易失性內(nèi)存性能不滿意的客戶采用我們的FRAM。
自2017年以來(lái),富士通電子不斷推出工作電壓3.3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽車(chē)級(jí)FRAM產(chǎn)品。但高端汽車(chē)電控單元的推出,使得一些客戶開(kāi)始要求FRAM的工作電壓低于1.8V。富士通電子近日推出的這款全新FRAM正是為了滿足這一市場(chǎng)需求而面世的。
MB85RS2MLY在-40°C至+125°C溫度范圍內(nèi)可以達(dá)到10兆次讀/寫(xiě)次數(shù),適合某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用,比如連續(xù)10年每天每0.1秒記錄一次數(shù)據(jù),則寫(xiě)入次數(shù)將超過(guò)30億。另外,這款產(chǎn)品可靠性測(cè)試符合AEC-Q100 Grade 1標(biāo)準(zhǔn),達(dá)到汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品的認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)。因此,在數(shù)據(jù)寫(xiě)入耐久性和可靠性方面,富士通電子最新推出的這款FRAM完全支持ADAS等需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用。
這款FRAM產(chǎn)品采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)8-pin SOP封裝,可輕松取代現(xiàn)有類似引腳的EEPROM。此外,還提供外形尺寸為5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN(無(wú)引線雙側(cè)扁平)封裝。
富士通電子推出可在高溫下穩(wěn)定運(yùn)行的新款2Mbit FRAM
圖3:8pin DFN和8pin SOP封裝
除2Mbit FRAM,富士通電子目前正在研發(fā)125°C溫度系列容量為4Mbit的存儲(chǔ)產(chǎn)品。富士通電子將繼續(xù)提供內(nèi)存產(chǎn)品和解決方案,滿足市場(chǎng)和客戶的未來(lái)需求。
關(guān)鍵規(guī)格
·組件型號(hào):MB85RS2MLY
·容量(組態(tài)):2 Mbit(256K x 8位)
·接口:SPI(Serial Peripheral Interface)
·運(yùn)作頻率:最高50 MHz
·運(yùn)作電壓:1.7伏特 - 1.95伏特
·運(yùn)作溫度范圍:攝氏零下40度 - 攝氏125度
·讀∕寫(xiě)耐用度:10兆次 (1013次)
·封裝規(guī)格:8-pin SOP與8-pin DFN
·認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn):符合AEC-Q100 Grade 1
詞匯與備注
注一:鐵電隨機(jī)存取內(nèi)存(FRAM)
FRAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的內(nèi)存,即便在沒(méi)有電源的情況下仍可保存數(shù)據(jù)。FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性,并擁有高速寫(xiě)入數(shù)據(jù)、低功耗和高速讀/寫(xiě)周期的優(yōu)點(diǎn)。富士通自1999年即開(kāi)始生產(chǎn)FRAM,亦稱為FeRAM。
關(guān)于富士通電子元器件(上海)有限公司
富士通電子元器件(上海)有限公司是富士通在中國(guó)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)總部,于2003年8月成立,在北京、深圳、大連等地均設(shè)有分公司,負(fù)責(zé)統(tǒng)籌富士通在中國(guó)半導(dǎo)體的銷(xiāo)售業(yè)務(wù)。
富士通電子元器件(上海)有限公司的主要銷(xiāo)售產(chǎn)品包括 Custom SoCs (ASICs),代工服務(wù),專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSPs),鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器,繼電器,GaN(氮化鎵),MCU和電源功率器件等,它們是以獨(dú)立產(chǎn)品及配套解決方案的形式提供給客戶,并廣泛應(yīng)用于高性能光通信網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、手持移動(dòng)終端、影像設(shè)備、汽車(chē)、工業(yè)控制、家電、穿戴式設(shè)備、醫(yī)療電子、電力電表、安防等領(lǐng)域。
文中提及的公司名稱和產(chǎn)品名稱是其所有者的商標(biāo)或者注冊(cè)商標(biāo)。該新聞稿中的信息在發(fā)布時(shí)準(zhǔn)確無(wú)誤,可能隨時(shí)發(fā)生變化,恕不先行通知。
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