介紹閃存卡作為現(xiàn)階段小型存儲的優(yōu)質(zhì)選擇，以其便攜性好、可選容量大、即插即用等諸多優(yōu)勢一直受到消費者的青睞。本文將詳細介紹定義、產(chǎn)品類型、功能、使用壽命等方面。目錄介紹一、什么是閃存卡？二、閃存卡的演變?nèi)?、閃存卡的種類四、閃存卡存儲數(shù)據(jù)量參考

介紹

閃存卡作為現(xiàn)階段小型存儲的優(yōu)質(zhì)選擇，以其便攜性好、可選容量大、即插即用等諸多優(yōu)勢一直受到消費者的青睞。本文將詳細介紹定義、產(chǎn)品類型、功能、使用壽命等方面。

目錄

一、 什么是閃存卡？

閃存卡（也稱為存儲卡）是一種小型存儲設備，它使用非易失性半導體存儲器將數(shù)據(jù)存儲在便攜式或遠程計算設備上。文本、圖像、音頻和視頻是此類數(shù)據(jù)的示例。目前大多數(shù)產(chǎn)品都使用閃存，但正在開發(fā)其他存儲技術，例如結合動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 和閃存的設備。

二、閃存卡的演變

1980 年，一位不知名的東芝工程師申請了同步可擦寫 EEPROM 的專利。也許連高岡不二夫博士都沒有意識到這項專利的價值，更不用說東芝公司的資深人士了，所以這項跨時代的專利在四年內(nèi)無人問津。博士。Gang Gang 的發(fā)明直到 1984 年才公開，當時他在加利福尼亞州舊金山舉行的 IEEE 國際電子器件會議 (IEDM) 上發(fā)表了該發(fā)明。英特爾在會議上認識到了這項發(fā)明的巨大潛力，并在1988 年。（最初的 CompactFlash 最初是基于 NOR 閃存，但后來改用成本更低的 NAND 閃存。）

故事并沒有就此結束。Fujio Kaoka 博士發(fā)現(xiàn) NOR Flash 具有較長的擦除時間，因此于 1986 年發(fā)明了 NAND Flash。與 NOR Flash 相比，NAND Flash 具有更快的擦除時間和更小的每個存儲單元的面積，從而使其具有更高的存儲密度和更低的成本。少量。從那時起，已經(jīng)創(chuàng)建了閃存（NOR 和 NAND）。具有諷刺意味的是，盡管他做出了重大貢獻，但他只獲得了幾百美元的東芝獎勵和一個高高在上的悠閑職位。作為一名工程師，他受不了這種待遇，不得不辭職上大學繼續(xù)他的科研工作。后來開發(fā)了基于 NAND Flash 的存儲卡。SmartMedia 是 NAND Flash 的第一個應用。從那時起，NAND Flash被廣泛的存儲介質(zhì)所采用。

三、閃存卡的種類

多媒體卡，多媒體卡是閃存卡的一種。其尺寸為 32mm 24mm 1.4mm，重量為 1.5 克，非常適用于數(shù)碼影像、音樂、手機、PDA、電子書、玩具和其他產(chǎn)品。但是，由于缺乏消費類數(shù)碼廠商的支持，數(shù)碼產(chǎn)品市場上能夠使用MMC存儲卡的產(chǎn)品并不多。

松下、東芝和日本的閃迪合作開發(fā)了 SD 卡（Secure Digital）。它的尺寸為32mm24mm2.1mm，重量僅為2克，但容量大、數(shù)據(jù)傳輸率高、靈活性好。SD卡的結構保證了數(shù)字文件傳輸?shù)陌踩?，并且易于重新格式化，因此具有廣泛的應用范圍。SD卡被廣泛用作數(shù)碼相機中的存儲介質(zhì)。因此，SD卡是使用最廣泛的存儲卡。

Mini SD卡是從SD卡衍生而來的，其性能與標準SD卡相當。Mini SD 卡與 SD 卡一樣，具有硬件數(shù)據(jù)寫保護開關，可防止意外刪除存儲的內(nèi)容。另一方面，Mini SD 卡比 SD 卡小 40%，尺寸僅為 21.5 mm20 mm1.4mm。它與標準 SD 卡插槽完全兼容，可與專用適配器卡一起使用。

不過最重要的區(qū)別在于Mini SD卡采用了低功耗設計，相比SD卡更適合移動通信設備。目前主要用于手機、PDA、掌上電腦等信息終端設備。

T-Flash卡，全稱：TransFLash（又名：Micro SD），是摩托羅拉與SANDISK聯(lián)合開發(fā)推出的一款超小型閃存卡。它的優(yōu)點是體積小，主要用于手機，但隨著容量的增加，逐漸開始應用于更廣泛的領域。同時，它的容量很大，可以通過適配器連接到SD卡槽。

記憶棒是日本索尼公司開發(fā)的一種移動存儲介質(zhì)的全稱。這種類型的存儲設備類似于口香糖，具有很高的兼容性。后來，索尼將基于記憶棒的體積縮小到三分之一左右，設計并制造了記憶棒 Duo。這種記憶棒 Duo 非常適合用于小型手機和數(shù)碼相機，以及各種 mp3 播放器和其他電子設備。

最新的總線和接口標準是 PCI-e 閃存卡 (PCI-Express)。它最初被稱為“3GIO”。PCIe 是一種串行點對點雙通道高帶寬傳輸標準。獨占通道帶寬分配給連接的設備。共享資源，主要支持主動電源管理、錯誤報告、端到端可靠性傳輸、熱插拔和服務質(zhì)量（QOS）等功能。該概念基于 NAND 閃存。

CF 卡（Compact Flash）最初用于便攜式電子設備中作為數(shù)據(jù)存儲設備。它徹底改變了閃存作為存儲設備的使用，由閃迪于 1994 年首次生產(chǎn)并制定了相關規(guī)范。許多設備目前正在使用其物理格式。但是CF卡的容量是有限的，增加容量跟不上數(shù)碼相機像素的發(fā)展。與其他類型的存儲卡相比，尺寸相對較大，工作溫度一般為0-40攝氏度，這限制了它的性能。

索尼的 XQD 存儲卡是一種存儲卡。它比標準的 CF 卡小得多，只有一半左右。而XQD存儲卡則保留了CF卡的快速穩(wěn)定讀取。此外，XQD 存儲卡采用可升級的高性能接口。它的讀寫速度為每秒 125 兆比特。

奧林巴斯和富士聯(lián)合推出了 XD-Picture Card (xD) 存儲卡。它具有20mm25mm1.7mm的極小外形尺寸，重量僅為2克。它的讀寫速度分別可以達到5MB/S和3MB/S。最初，XD 卡主要用于奧林巴斯和富士數(shù)碼相機產(chǎn)品。盡管其性能可以滿足寫入大量數(shù)據(jù)的要求，而且功耗較低，但相對較高的價格嚴重限制了XD卡的發(fā)展。奧林巴斯和富士數(shù)碼相機不再專門使用 XD 卡作為存儲介質(zhì)。

M2卡是索尼和閃迪聯(lián)合發(fā)布的新型Memory Stick Micro (M2)存儲卡。2006年3月面世。該款M2卡采用超小電路設計，專為大容量、小容量移動存儲需求；它僅重 16 克，尺寸僅為 15 12.5 1.2mm，體積約為記憶棒 Pro Duo 的四分之一。

四、閃存卡存儲數(shù)據(jù)量參考值

五、 閃存的預期壽命是多少？（以 SD 卡為例）

SD 卡是固態(tài)設備，這意味著它沒有移動部件。與舊的便攜式存儲設備（例如軟盤）相比，這是一個重大進步，軟盤具有高速旋轉(zhuǎn)的薄而脆弱的磁盤。SD 卡的組件是其電路的一部分，這就是它們?nèi)绱诵∏删o湊的原因。數(shù)據(jù)存儲在電路上的閃存芯片上。閃存是一種 EEPROM 芯片（電可擦可編程只讀存儲器）。固態(tài)設備（例如 SD 卡）中使用了兩種類型的存儲單元。許多 SD 卡采用單級存儲單元，這些單元可以打開或關閉。因為這些單元格只能存儲一個值，所以它們快速且可靠。缺點是您需要在大容量存儲卡中使用大量它們。大多數(shù)低成本 SD 卡使用多級單元芯片。

存儲單元被絕緣以防止電荷泄漏。然而，每次執(zhí)行寫入操作時，這種絕緣都會被侵蝕。這可能會導致電池中的電壓隨時間輕微波動，從而導致 SD 卡上的數(shù)據(jù)損壞。大多數(shù)現(xiàn)代 SD 卡都旨在檢測和避免這些問題單元，但如果單元太多，卡可能沒有足夠的內(nèi)存來隨著時間的推移映射它們。SD 卡的確切使用壽命由多種因素決定。如果您定期使用您的卡，假設它沒有首先物理損壞，它應該會持續(xù)很長時間。例如，如果您每周使用超過一次，最好每年更換一次。由于人們對 SD 卡施加的各種壓力，很難確定何時更換它們。最有可能的，您的 SD 卡將在開始損壞您的數(shù)據(jù)之前因損壞而停止工作。SD卡采用低成本組件制造以保持低成本，因此它們?nèi)菀讚p壞。

SD 卡絕對不適合長期存儲，因為電池中的電荷會隨著時間的推移而泄漏。雖然有些特殊的 SD 卡設計為只寫入一次并用于存檔目的，但不應以這種方式使用市售 SD 卡，例如相機中的 SD 卡。大多數(shù) SD 卡的數(shù)據(jù)保存時間不會超過五年。確保數(shù)據(jù)安全的最佳方法是盡快將其從 SD 卡復制到計算機。

六、關于閃存卡的常見問題

1、閃存有什么好處？

增加耐用性。與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動器不同，閃存驅(qū)動器沒有移動部件，最大的便攜性，充足的存儲容量，快速的傳輸速度，與許多設備的兼容性，使用閃存驅(qū)動器作為宣傳材料。

2. 智能手機為什么要使用閃存？

閃存是可以電擦除和重新編程的非易失性計算機存儲器。由于其低成本、緊湊的尺寸、出色的物理耐用性和低功耗，它被用作各種便攜式設備的主存儲存儲器。

3. Flash Memory貴嗎？

傳統(tǒng)存儲驅(qū)動器的成本約為每可用 GB 7 或 8 美分，而閃存驅(qū)動器的成本約為每可用 GB 40 美分。固態(tài)硬盤 (SSD) 的價格正在下降，但閃存的價格下降得更快。

4. flash和EEPROM存儲器有什么區(qū)別？

閃存是一種獨特類型的 EEPROM，它以大塊的形式進行編程和擦除。Flash 使用 NAND 類型的存儲器，而 EEPROM 使用 NOR 類型。Flash 可按塊擦除，而 EEPROM 可按字節(jié)擦除。Flash 不斷被重寫，而其他 EEPROM 很少被重寫。

5. 閃存卡的可靠性如何？

如今，大多數(shù)市售閃存都保證能夠承受 100 000 次或更多的編程擦除周期，一些制造商保證超過 1 000 000 次的使用壽命。