（報告出品方/作者：中國銀河證券）一、公司LED芯片龍頭地位穩固，其他化合物半導體業務加速落地（一）全球LED芯片龍頭，全面布局化合物半導體公司是全球LED芯片龍頭，其他化合物半導體業務逐加速落地。三安光電股份有限公司主要以化合物半導體材料

（報告出品方/作者：中國銀河證券）

一、公司 LED 芯片龍頭地位穩固，其他化合物半導體業務加速落地

（一）全球 LED 芯片龍頭，全面布局化合物半導體

公司是全球 LED芯片龍頭，其他化合物半導體業務逐加速落地。三安光電股份有限公司主要以化合物半導體材料所涉及的外延片、芯片為 核心主業，化合物半導體涉及砷化鎵、氮化鎵、碳化硅、磷化銦、氮化鋁、藍寶石等新材料， 主要應用于照明、顯示、背光、農業、醫療、光伏發電、移動通信設備和基站、消費電源快速 充電器等領域。公司下游客戶主要為LED 封裝企業及化合物半導體集成電路設計公司。

保持 LED 芯片龍頭地位，積極布局Mini/Micro LED。公司深耕 LED芯片領域，產品結 構完善，包括藍綠光芯片、白光芯片、顯示芯片、背光芯片、紫外、Mini/Micro LED 等。據 LEDinside 統計，公司在 2019 年中國 LED 芯片市場份額達到 32％，產銷規模位居首位。在 Mini/Micro LED 等新技術產品方面，公司是三星 Mini LED 芯片首供，已實現 Mini LED的批 量供貨，在 Micro LED 方面公司也有長期布局，目前進展順利。

公司在 LED業務基礎上，將化合物半導體業務向射頻、光通信、電力電子領域發展。公 司通過子公司三安集成發展射頻、光通訊、電力電子等集成電路芯片業務，可以提供砷化鎵、 氮化鎵、碳化硅等化合物半導體代工。伴隨 5G商業化提速，公司的智能終端射頻及濾波器的 市場規模將迎來加速成長，公司乘勢而上打造具有國際競爭力的射頻、濾波器集成電路廠商。 受益于電動車、光伏等第三代半導體電力電子器件市場規模快速增長，公司碳化硅二極管業務 開拓客戶 182 家。此外，公司的光通訊業務在保持及擴大現有中低速 PD/MPD 產品的市場領 先份額外，在附加值高的高端產品如10G APD/25G PD 以及 10G/25G VCSEL 和 DFB 發射端 產品均已在行業重要客戶處實現驗證通過，進入實質性批量生產階段。

（二）股權結構穩定，員工持股計劃彰顯未來信心

股權結構穩定，國家大基金入股支持化合物半導體發展。公司控股股東為三安集團。林秀 成先生為公司實際控制人，持股比例為 14.6%。2015 年與國家大基金簽訂協議，支持三安光 電重點發展 III-V 族化合物，支持并購境內外相關上下游企業。目前大基金持有公司 9.3%的股 權，為公司第二大股東。2019 年三安光電引入興業信托、泉州金控與安芯基金作為公司戰略 投資者，有望大幅增加公司控股股東的現金流，改善財務報表結構，同時解決公司投產前期需 要的大規模設備和資金投入的問題。

三期員工持股計劃完成，彰顯公司信心。公司自 2014 年開始，共履行2014年度三年鎖定 期員工持股計劃、2016 年度一年鎖定期員工持股計劃及 2020 年度一年鎖定期員工持股計劃， 通過員工持股計劃實現母公司全員持股。基于對公司價值的高度認可和對公司未來發展前景 的信心，公司于 2018 年實施回購股票計劃，共回購本公司股份 24,494,328股，占本公司已發行股份的總比例為 0.60%；截至 2020 年 11 月 11 日，本公司第三期員工持股計劃通過非交易 過戶方式受讓本公司回購賬戶中持有的股票和通過二級市場購買的本公司股票全部實施完畢， 合計持有本公司股票 76,017,479 股，占本公司總股本的1.6971%，彰顯了公司對未來發展的信 心。

（三）持續高研發投入，公司競爭力不斷提升

公司作為國內產銷規模首位的化合物半導體生產企業，多年來持續加大研發投入，積極 提升核心競爭力。公司不斷加強研發實力建設，研發投入不斷攀升，2016 年至 2020年間研發支出增長超 110.1%，2020 年研發支出合計 9.3 億元，營收占比 11%；研發團隊不斷壯大，自 2016 年的 1178 人，上升至 2020 年的 2602 人，占總員工比例 18.62%。扎實的研發基礎成為 公司未來產品創新、技術開發的核心驅動力，為公司戰略發展奠定了基石。

在全球多國相繼成立研發中心，研發能力達到國際領先水平。公司作為國家人事部認定的 博士后工作站及國家級企業技術中心，擁有國際頂尖的技術研發團隊，研發能力已達到國際先 進水平。公司擁有國內外發明專利和專有技術1654 項，其中國內專利 1198 項（授權專利 866 項），國際專利 456 項（含 PCT96 件，授權專利 295 項），其中發明專利占 86.7%。隨著公司 不斷加大研發力度，繼續完善專利布局，市場占有率將進一步提升。子公司三安集成已申請了 多項國內外發明專利，目前公司主力產品各項技術指標均達到國際先進水平，為集成電路業務 的市場拓展奠定了堅實的基礎。

公司作為LED行業龍頭，規模與渠道優勢明顯。公司作為國內產銷規模首位的化合物半 導體生產企業，不僅投資規模大，需要配置 MOCVD外延爐、蒸鍍機、光刻機、蝕刻機、研磨 機、拋光機、劃片機和各類檢測等價格昂貴的設備，而且技術壁壘高，在制造過程中需要集成 物理、化學、光電、機電等多領域的知識。公司的規模優勢還帶來了強大的議價能力，能有效 的降低成本，帶來更大的產能，實現良性循環。此外，公司還積極布局上游原材料襯底，形成 部分自給能力，設立廠中廠配套輔料氣體自制，下游布局特殊應用領域，針對市場的特點，生產不同領域和不同波段芯片，產品種類全，覆蓋領域廣，滿足下游不同層次客戶需求。

（四）公司業績將迎拐點，營業收入大幅增長

2020 年收入及凈利潤有所恢復，2021H1 業績大幅增長。2020 年全球疫情持續高發，LED 整體市場需求體現較強韌性。由于原材料 價格大幅上漲，疊加疫情影響，中小企業面臨更大的挑戰，優勢資源和優質客戶向掌握核心技 術與產業布局合理的龍頭企業聚集，行業集中度得到一定提高，2021H1 公司實現營收 61.14億 元，同比增長71.4%；實現歸母凈利潤 8.84 億元，同比增長39.2%。

公司費用結構合理，利潤率水平趨于穩定。2016-2019 年，公司研發費用支出不斷增加， 2020 年公司研發費用支出大幅增加，同比翻一番。銷售費用率與管理費用率都穩步提升，費 用結構穩定。2017-2020 年公司毛利率、凈利率逐年下滑，2020 年分別為24.47%和 12.02%，下滑趨勢逐漸穩定。

公司去庫存成效顯著，運營效率顯著提升。2020 年上半年公司努力克服疫情影響積極復 工復產，然而市場需求平淡，直到年底才開始逐步回暖，造成公司庫存上升。2020 下半年以 來，LED 行業需求復蘇明顯，今年以來部分 LED 芯片出現缺貨漲價，公司 LED 芯片銷售良 好，庫存水平顯著降低。2021 年上半年公司庫存金額同比減少 6.6 億元，其中 LED芯片庫存 減少 6.9 億元，二季度LED 芯片庫存環比減少 4.64億元，公司去庫存成效顯著。公司存貨周 轉率也從去年同期的 258 天逐步降至目前的 156 天，營運效率顯著提升。

二、全球 LED 景氣回暖，Mini LED 帶動新一輪增長

（一）LED 景氣度回暖，行業迎來新一輪增長

根據 LED 從生產到應用的全過程，LED 產業鏈一般可以分為上游、中游、下游三個細 分行業。其中上游主要為襯底和 LED 芯片的生產制造，中游為LED芯片的封裝，下游為各類 LED 顯示、照明、背光產品的生產和應用。其中，襯底是制造 LED的基底、生產外延片的主 要原材料，外延片目前主要采用 MOCVD 設備進行生產。根據產品的功能和特點，LED 應用產品包括 LED 顯示產品、LED 照明產品和 LED 背光產品等。

LED 行業景氣重新迎來上行機遇。2020 年下半年，LED 顯示、背光等需求回暖，LED行業景 氣重新迎來上行機遇。從上游 LED 芯片市場看，2020年受疫情影響行業規模將下滑1%左右， 但 2021 年預計將重回增長，2020-2023 年市場規模復合增長率預計達到 9%左右。

LED 芯片企業庫存水位與毛利率進一步趨穩。自 2018 年起，LED 芯片企業整體庫存水 平不斷攀升，2019 年總體保持平穩，2020Q1受疫情爆發影響，行業需求大幅下降，整體庫存 水平大幅上漲。此后，LED芯片企業加強庫存管理，兆馳股份、華燦光電、聚燦光電庫存水平 基本保持穩定，而三安光電由于不斷加碼化合物半導體業務，導致庫存水平不斷抬高。

（二）Mini/Micro LED 商業化加速，公司成為三星首供

Mini/Micro LED 是下一輪 LED 技術發展的重要趨勢，未來主要應用于背光及顯示。 Mini/Micro LED 分類標準并不一致，一般主要按照采取芯片尺寸劃分的方式。傳統 LED芯片 尺寸大于300微米，應用領域包括照明、背光、顯示，但受到尺寸等影響，高清顯示、高密度 背光應用仍然受到限制。MiniLED 芯片尺寸在100-300 微米之間，應用領域主要面向 MiniLED 背光以及P0.6（像素點間距 0.6mm）以上的較高清晰度 MiniLED 顯示。Micro LED芯片尺寸 小于 100 微米，甚至未來有望達到 10 微米以內，應用領域主要面向高清顯示，包括 P0.9、P0.6、 P0.3 及以下高清顯示屏/電視，甚至 AR/VR 等更高清晰度的顯示。

Mini/MicroLED 有望引領 LED 下一輪增長。2019年全球 LED應用市 場規模約 168 億美元，2020 年由于疫情原因預計市場總規模將小幅下滑至 165 億美元。未來 五年，LED 應用市場的主要成長動能將來自 Mini 及 MicroLED的應用，有望成為僅次于一般 照明的第二大應用市場。

Mini/Micro LED 主要有背光與直顯兩個應用方向。 2021 年將是 Mini LED 背 光商業化的元年，未來幾年行業將迎來爆發，Mini LED 背光將首先在中大屏市場打開空間。 Mini/Micro LED 直顯將首先在高端商顯領域逐步替代小間距 LED 顯示，隨著未來成本的下 降，將逐步向大尺寸消費級產品以及 VR/AR小尺寸產品滲透。

背光：MiniLED 背光技術顯示性能可與 OLED 相媲美，成本低于 OLED且有望穩步下 降，在不同產品應用端優勢明顯。Mini LED 背光對 LED 芯片需求將有指數級增長。與傳統 LCD 相比，MiniLED背光具有更高的顯示亮度、均勻性和動態范圍，顯示效果提升明顯。與 OLED 顯示相比，MiniLED 背光在顯示效果相差不大的情況下，具有更低的成本、更長的使用壽命，并且能夠避免燒屏問題。因此，MiniLED 背光在平板、PC、電視等領域滲透速度不斷加快，有望逐步替代 LCD 液晶顯示。 預測隨著產業鏈制程技術的進步和良率的提升，MiniLED 背光成本將以每年15%-20%幅度下降。Mini LED 背光對 LED芯片需求較傳統背光大大提升，傳統側入式背光液晶電視 LED 芯片需求約 50-100 顆，而 Mini LED 背光電視 LED 芯片需求在 10000 顆以上，將有指數級增長。預測 2021 年全球 Mini LED 背光市場規將達到 1.5 億美元，同比增長148%，到 2024 年市場規模將達到 23.2億 美元，2020 年-2024 年復合增速達到 148%。

直顯：Mini/MicroLED 應用前景廣闊，有望成為顯示終極方案。目前 MicroLED 主要用于戶外或公共顯示的超大尺寸解決方案，未來Micro LED 應用范圍將擴展至 AR、VR 等特定應用領域及電視等大眾消費型電子市場。2026 年全球 MicroLED顯示器出貨量將 達 15.5 百萬臺，CAGR 達 99%。根據行家說數據， 全球小間距顯示市場規模將從 2020年的 25 億美元增長至 2025 年的 89 億美元，復合增速達到 29%。間距小于 1mm 的 Mini/Micro LED 顯示由于基礎較低將有更高的增速，根據產業調研2020 年市場規模約 0.8-1.5 億美元，預計其未來 3 年復合將超過 100%，2023 年市場規模將達到約 9 億美元，其中芯片端市場約 4 億美元。

產品陸續推出，有望于 2021 年迎來商用落地的加速。2012 年，Sony 展出了 Micro LED 的 55 英寸高清 LED 電視樣品，Micro LED 作為商業化產品第一次出現在大眾視野。2016 年 以來，Micro LED 處于高速發展階段，多品牌推進布局 Mini/MicroLED。蘋果近兩年發布了一 系列 Mini LED 系列產品，預計將于2021 年第一季度推出首款 MiniLED iPad Pro，并在第二 季度量產MiniLED MacBook Pro 機型。

當前全球范圍內能實現 Mini LED 背光芯片量產并規模出貨的企業相對較少，具備相應 客戶、良率與量產能力的企業更為稀缺，主要集中在擁有技術支持、產能布局合理、產能規模 大等具有競爭優勢的頭部企業。主要的供應商有 Osram（歐司朗）、Nichia（日亞化學）、 EnnoStar（富采）等企業。

公司全面布局Mini/MicroLED，已成功切入三星供應鏈，成為其首要供應商，現已實現 批量供貨。2018年 2月，公司全資子公司廈門三安同三星電子簽訂《預付款協議》，為三星電 子供應 LED 芯片。該協議約定，三星電子支付廈門三安1683萬美元預付款，以保證廈門三安 排他性的顯示用 LED 芯片產能。同時，二者將持續討論 MicroLED戰略合作，未來廈門三安 若實現大規模量產Micro LED，有望進一步成為三星電子的 MicroLED 首要供應商。

技術方面，公司積極同業內先進企業展開合作，積累技術優勢，拓展產品競爭力。公司同 TCL華星開展技術合作，共同投資 3 億元（TCL華星出資 55%，三安光電出資 45%）成立聯 合實驗室，對雙方的LED 及顯示面板技術及資源進行整合，更高效地對 LED及顯示面板技術 材料、器件及工藝進行研究與開發，并重點投入 Micro LED 領域。雙方聯合開發 Micro LED 顯示器端到端技術過程中，與自有材料、工藝、設備、產線方案相關的技術，包括Micro LED 芯片、轉移、Bonding、彩色化、檢測等，打造新技術核心競爭力，在未來競爭中取得先發優 勢。

公司有機會切入蘋果 Mini LED 供應鏈，隨著Mini LED成本下降將進一步打開市場。一 方面，公司技術、產能皆處于行業前列，正穩步推進客戶驗證工作，而 A 公司作為下游大戶， 必將成為公司核心目標之一；另一方面，蘋果出于供應鏈安全管控的角度，也大概率會引入第 二家供應商。我們認為公司作為 MiniLED龍頭企業之一，未來切入蘋果供應鏈機會較大。根 據 TrendForce 預測，隨著產業鏈制程技術的進步和良率的提升，Mini LED背光成本將以每年 15%-20%幅度下降，也將進一步打開市場空間，到 2025 年 Mini LED 背光滲透率將達到 15% 以上。

公司產能彈性大，未來將在 Mini LED 市場占據重要份額。2019年 4月，三安光電投資 120 億元于湖北鄂州葛店經濟技術開發區建設 Mini/Micro LED 芯片項目；2021 年 2月 3日， 項目一期主體建筑成功封頂；2021 年 3 月 16 日，項目變電站如期送電；2021 年 4月 16日， 項目開始試產，且將于近期正式投產。此項目規劃主要為 Mini/Micro LED芯片，將供給天馬 微電子、華星光電等光電子信息企業。

（三）LED 新興應用不斷涌現，公司深度布局前景廣闊

除了 Mini/Micro LED，其他 LED新型應用也正在加速發展，植物照明市場迎來高速增長、 深紫外 LED 市場快速成長、車用 LED、紅外 LED 等的市場滲透率正逐步提升。公司積極進 行多元化布局，重點投入 Mini/Micro LED、植物照明、車用LED、UV（紫外） LED等新興 應用領域，提高公司盈利能力和抗風險能力，未來成長空間廣闊。

疫情推動消費者教育，深紫外 LED 市場迎來快速發展。UVC（深紫外）LED前期發展 緩慢：產品方面，光功率、光效、使用壽命皆有待提高；需求方面，產品使用、殺菌效果難以 被消費者直接感知。伴隨技術的發展，疊加 2020年新冠疫情爆發迅速推進消費者教育、政策 引導，UVC LED進入快速增長通道。短期內，防疫將貢獻較大需求，幫助行業快速突破商業 化早期階段；長期內，市場滲透率有望進一步提升帶來需求發展，規模化提升降低生產成本， UVC LED 依然維持較大增長空間。據 Yole 統計及預測，UVC LED 行業 2019 年市場規模為 1.44 億美元，2020 年將同比增長114%，達到 3.08 億美元，而2020-2025 年將以 52%的 CAGR 快速增長，預計 2025 年將達到 25 億美元。

公司深耕UVC LED 領域，先發優勢明顯，將充分受益于行業爆發。2014年起，三安光 電在國內率先投入 UVC 深紫外外延、芯片與封裝研發，并于 2015 年承擔紫外與深紫外項目 國家重點研發計劃相關任務，獲得國家科技進步二等獎。目前公司針對已知有效殺菌波段開發 多種尺寸UVC 芯片及小、中、大及超大功率UVC LED產品，其產品光功率性能已達國際同 等水平，達到 2%-4%光效。目前，三安光電UVC LED已成功切入一線家電品牌的殺菌、水凈 化等應用市場，締結戰略合作關系，共同開發 UVC LED 模組。截至 2019 年，三安光電 UVC產品累計達到1kk 產出，并實現月產能 1kk 以上。

植物照明LED 表現優異，市場迎來新發展。相比于傳統照明光源，使用LED光源進行植 物照明具備節能效率高、散熱低、壽命長、光譜可調控等特點，性價比更高，能滿足更精細化 的植物生長需求。預測 2015 年全球植物照明市場規模為 17.6 億美 元，2019 年成長至 37.9 億美元，CAGR 為 21.1%，且在農業 4.0 趨勢下，溫室大棚及植物工 廠等新型農業形式滲透率將快速提升，全球植物照明市場將于 2024 年達到115 億美元。

三安深度布局，借中科三安發展東風，植物照明 LED 芯片業務有望快速起量。2015 年 底，三安光電聯合中國科學院共同成立中科三安，分別發揮各自在植物學與光電技術領域優勢， 共同打造國際化植物照明龍頭標桿。歷經 5 年快速發展，中科三安已完成生長系統、園藝照 明、環控系統三大產品系列布局，提供無人化、模塊化、育苗植物工廠及以人體驗為主的植物 夢工廠四大解決方案。

伴隨汽車電動化、智能化趨勢，車用 LED使用覆蓋率不斷提升，市場整體保持穩定增長。 2019 年全球車用 LED 市場為 26.72 億美元，2020年在疫情沖擊下，全球汽 車行業受到抑制，相應車用 LED 受到影響，市場規模下降至25.72 億美元，同比降低 3.74%。 2021 年，預計 LED將憑借其節能環保、亮度及光色可調、壽命長、安全性高等優勢，進一步 提升車用 LED 滲透率，在頭燈與車用面板需求帶動下，獲得較大成長空間，市場規模有望達 到 29.26 億美元，同比增長 13.76%。

公司并購英國汽車照明公司 WIPAC快速切入車用LED市場，并以此為基礎進行產品拓 展。WIPAC 是一家具備百年發展歷史，全球領先的豪華汽車、超級跑車的照明系統一級供應商，主要從事研發、生產和銷售高端汽車前照燈、尾燈和所有類型的外部輔助照明燈具。三安光電通過收購WIPAC 可加快自身車用LED 芯片產品導入，同時以此為本向車用顯示、功率器件等領域進行拓展。

公司以 LED 業務起家，自 2000 年成立起已在LED 領域深耕超20年，憑借深厚的技術積 累成為國際性LED 芯片龍頭。同時，三安光電管理層憑借 LED領域經營經驗及獨道的戰略眼光，及時把握 LED 新興應用發展機會，成為各細分領域領頭羊，先發積累技術優勢及產能建設。隨著LED 行業景氣度回升，以及 Mini LED、植物照明等新興應用的加速滲透， LED 行業將迎來新一輪增長。公司是LED 芯片絕對龍頭，在Mini LED方面也具備領先實力， 未來將充分受益于行業的復蘇，LED 業務將重回增長。預計2021-2023 年公司 LED業務 板塊將實現營收 69.00/88.00/106.00 億元，分別同比增長 38.08%/27.54%/20.45%。同時，新興 應用的占比提升將帶動公司整體 LED 業務版塊毛利率提升，預計 2021-2023 年公司 LED 業務板塊毛利率分別為 12.50%/24.00%/28.00%。

三、從材料到封裝打造國內化合物半導體一站式平臺

（一）應用前景廣闊，化合物半導體開啟新時代

半導體材料歷經三代發展，各代材料攜手并進。第一代半導體材料以硅、鍺為代表，技術 工藝成熟，儲量極其豐富且性價比高，90%以上的半導體產品由硅基材料制作，奠定了微電子 產業基礎；第二代半導體材料以砷化鎵、磷化銦為代表，相比于第一代半導體材料具備更高的 禁帶寬度及電子遷移率，是制作半導體發光二極管和通信器件的關鍵襯底，開創了微波射頻半 導體時代，同時奠定了通信半導體基礎；第三代半導體材料以碳化硅、氮化鎵為代表，其禁帶寬度明顯高于前兩代，被廣泛應用于高溫、高功率、高壓、高頻等大功率領域。三代半導體各 有優劣，在各自的應用場景存在比較優勢，占據一席之地，在整個半導體產業的發展下共同擴 張。

新應用需求為化合物半導體帶來廣闊空間。硅質半導體均衡的物理性質鑄就了其半導體 行業的核心地位，但也制約其新的發展。在諸如射頻、功率模塊等領域，硅質半導體受限于自 身性質，無法適應高溫、高頻、高壓等環境條件。由此，化合物半導體應運而生。化合物半導體是由兩種元素及以上組成 的化合物半導體材料，即第二代、第三代半導體材料，以砷化鎵、碳化硅、氮化鎵為代表。化合物半導體擁有高禁帶寬度、高電子遷移率及高電子飽和漂移速度，能夠滿足新應用要求，同 時具備較強性能、體積優勢，將伴隨科技發展而獲取廣闊的發展空間。

第二代半導體材料砷化鎵被廣泛應用于無線通信領域。無線通信信息傳送具備高速、高效特征，要求將信號作高頻化和數字化處理，因此需要高頻、高速、低工作電壓及低噪聲的半導體器件。而砷化鎵相對低的禁帶寬度、高電子遷移率等特性同無線通信需求相契合，被廣泛應 用于移動設備、網絡基礎設施、國防與航空航天等應用場景中的通信模塊。

第三代半導體材料碳化硅、氮化鎵憑借優異的性能適應高壓、高頻、高溫環境，被廣泛應 用于射頻、功率器件中。碳化硅和氮化鎵相比，碳化硅具有更高的禁帶寬度，能夠承受更高的 電壓，并擁有更高的功率密度；而氮化鎵的電子遷移率相比碳化硅高 1/4，其 dV/dt 電壓超 100V/s，關斷時間幾乎為0，能滿足更高頻率要求。

（二）砷化鎵：5G 引領新發展，VCSEL 貢獻新增量

砷化鎵為最具代表性的第二代半導體材料，同時也是目前研究最成熟、生產量最大的化合物半導體材料。砷化鎵材料被分為半絕緣和半導體兩類。其中，半導體砷化鎵材料被用于LED 襯底制造，而半絕緣砷化鎵材料主要被用于無線通信領域中的射頻器件以及光電子領域 的激光 VCSEL等，附加值較高。射頻模組包括功率放大器 PA、濾波器 Filter、低噪聲放大器 LNA、開關 switch、雙工器五大模塊及其他。其中，PA占比整個射頻市場約33%，大部分由 砷化鎵材料制作而成。

5G技術對射頻提出了新要求，砷化鎵PA將加速滲透。4G時代，手機端 PA 制造以CMOS 和砷化鎵為主。進入5G時代后，5G網絡峰值速率將超過 10Gbps，網絡延遲降低 50倍至 1毫 秒，連接密度增長10 倍至 100萬/平方公里，要求射頻芯片具備高頻、高效、高功率性能。而傳統 CMOS 材料物理性質無法滿足要求；同時第三代半導體材料氮化鎵雖然相比砷化鎵具備更優秀的性能，但一方面成本還較高，無法大規模商用，另一方面功率太高對手機功耗影響太大，因此主要在部分基站端應用。因此，具備性能優勢、技術成熟可靠的砷化鎵將充分受益于 5G大時代的發展，在民用 PA 領域擴大市場份額及規模。

全頻譜接入，單機砷化鎵PA應用量增加。一方面，5G應用要求新的射頻器件承擔 5G特 有頻段，截至 2021 年 3 月，全球運營商發布的 5G 頻段可使用數目為 196 個，將帶來較多砷 化鎵 PA 增量；另一方面，射頻終端需要向前兼容，提供包括 3G、4G在內的射頻功能，因此 5G單機砷化鎵 PA 使用量將在 4G終端基礎上增加。4G手機平 均使用 5-7 顆 PA 芯片，而 5G手機所需 PA 芯片數量將高達16 顆。

技術升級，5G砷化鎵 PA 單價增加。5G 應用對射頻 PA 提出了新要求：5G技術的應用 導致手機天線及濾波器組件的增加，而在有限的手機空間中 PA 組件可用空間將受到擠壓，對 PA 多頻段設計帶來技術難題；5G新開頻段UHB要求更高的頻率以保證信號發送與接收質量、 更寬的帶寬以保證數據傳輸速度、更高的散熱要求，同時5G PA 失真現象概率變大，對 PA 設 計線性要求提高。2G手機用 PA 平均單價為 0.3美元，3G手機 用 PA 上升至 1.25 美元，全模 4G 手機用 PA 達到 3.25 美元，而預計 5G手機 PA 平均單價將 倍增，高達 7.5 美元以上。

5G手機滲透率不斷提升，出貨量迎來快速成長，驅動砷化鎵市場發展。預測 2021 年第一季度，全球 5G 手機出貨量占比智能手機 37%，預計 2021 年全年 5G手 機出貨量將達到 6.1 億臺，最終全年占比智能手機 43%。而預計在 5G手機價格下行帶動下， 5G手機將快速普及，獲得爆發式增長，在2022 年滲透率達到 52%，反超4G手機出貨量，并 于 2023 年滲透率達到 69%。

VCSEL（垂直腔面發射激光器）技術是砷化鎵又一重要應用領域。此技術目前主要被用 于消費電子領域的 3D 感測方面，實現人臉識別功能。半導體激光器可被分為邊發射激光器 （EEL）和垂直腔面發射激光器（VCSEL），其中 VCSEL憑借出光適合做成二維陣列形式、功 耗低等優點被廣泛應用于消費電子市場，在 3D 視覺發展過程中占得一席之位。

消費電子重塑 VCSEL 產業，汽車應用驅動下一輪增長。2017 年，蘋果率先在其 iPhone X 系列產品中應用基于 VCSEL的前置結構光方案，已實現人臉識別功能，引領全行業智能手 機 3D 感測新浪潮，為 VCSEL 帶來廣闊增長空間。而 VCSEL在消費電子領域蓬勃發展的同時，其憑借自身可靠性、成本優勢開始逐步向車用激光雷達方案滲透。國產廠商縱慧芯光 VCSEL 產品已于 2020 年 8 月通過 AEC-Q102 第三方車規認證，成為國內 首家也是目前唯一一家通過該認證廠商。

VCSEL 蓬勃發展，為砷化鎵市場貢獻新增量。預測 2018 年 VCSEL市場 為 7.38 億美元，預計2024 年將達到 37.75 億美元，CAGR 達 31%，其中手機及消費市場將貢 獻 28.29 億美元增量空間，是 VCSEL 核心應用領域。而砷化鎵作為 VCSEL核心原材料，亦 將借助其迅猛發展獲取較大增長動力。

全球砷化鎵元件市場規模逐年增加，我國市場將以更快速度發展。2018 年全球砷化鎵元件市場規模達到 88.7 億美元，預計到 2024 年達到 157.1 億美 元，2018-20124 年 CAGR 為 10%；2018 年中國砷化鎵元件市場規模達到 238.36億元，預計到 2024 年達到 551.3 億元，2018-2024 年 CAGR 為 15%。

上游設計同下游代工互相綁定，共筑護城河優勢。全球砷化鎵元件市場呈現寡頭壟斷特 征，Skyworks 和 Qorvo 兩家獨大，分別占整個市場29.6%和 27.5%份額。而砷化鎵代工市場則 呈現一家獨大特征，穩懋市場占比高達 76.1%，是當之無愧的全球第一大砷化鎵晶圓代工半導 體廠商。穩懋同Skyworks、Qorvo 建立了穩定的合作關系，在砷化鎵設計到生產主要環節共同 合作，進行適配，構造獨特的技術體系及標準，協同打造護城河，占得各自市場較大份額。

國產砷化鎵上游下游齊發力，三安光電迅速發展，有望成為具備全球競爭力的砷化鎵制 造企業。三安光電砷化鎵射頻產品以 2G-5G手機、WIFI 為主，客戶累計近100家，客戶地區 涵蓋國內外，并已成為國內知名射頻設計公司主力供應商。砷化鎵射頻 2021年上半年擴產設 備已逐步到位，產能達到 8000 片/月，未來目標擴產到 3 萬片/月，對標穩懋 4-5 萬片/月產能 規模，公司未來有機會成為全球領先的砷化鎵制造企業。目前。公司下游需求旺盛，公司加快 實施擴產計劃，盡快滿足客戶訂單交付。此外，在砷化鎵 VCSEL 方面，三安光電 10G/25G VCSEL 產品已通過行業內重要客戶驗證，進入實質性批量生產階段，出貨量快速增長，量產 客戶達到55 家。

（三）氮化鎵：基站射頻+快充，雙輪驅動快速成長

氮化鎵屬于第三代半導體材料，具備寬禁帶特征，性能優異，能滿足更高水平要求。相比 于第一代、第二代半導體材料，其特性優勢突出，氮化鎵器件可在 200℃以上的高溫下工作， 承載更高的能量密度，且具備更高的可靠性、能效比、運行速度。和同屬于第三代半導體材料 的碳化硅相比，氮化鎵一方面在降低成本方面展現出了更強的潛力，隨著技術進步及應用場景 不斷增加，氮化鎵器件成本中外延成本占約 2/3，有較大下降空間；另一方面，氮化鎵器件為 平面器件，與現有硅半導體工藝兼容性更強，更易于集成，降低用戶使用門檻。

氮化鎵外延片根據襯底不同被分為硅基氮化鎵（GaN-on-Si）、碳化硅基氮化鎵（GaN-onSiC）和金剛石基氮化鎵（GaN-on-Diamond），其中硅基氮化鎵和碳化硅基氮化鎵應用更廣。 碳化硅基氮化鎵既擁有碳化硅優異的導熱性能，能在較高溫度下運行，又具備氮化鎵高頻、高 功效特性，性能優越，但襯底成本較高，主要被用于 5G基站 PA、軍用雷達等領域。相比于碳 化硅基氮化鎵，硅基氮化鎵性能稍遜，但其性能比上一代 LDMOS有較大的發展，功率密度達 到其 5-8 倍，同時硅襯底易于生長，成本更低，對傳統CMOS工藝兼容，易于集成，更適合用 于大規模toC 商用領域，被用于消費電子快充、新能源車電機驅動等領域。

光電、射頻、電力電子是氮化鎵的主要應用場景。從應用場景來看，氮化鎵材料主要被用 于光電領域，此外射頻是另一大應用場景，其次為電力電子領域。據賽迪顧問數據顯示，氮化 鎵材料在光電領域應用最多，占比 68%，其次為射頻領域，占比 20%，電力電子領域占比為 10%。

氮化鎵憑借優異性能，將在 5G 基站端大放異彩。目前射頻前端應用中，硅基 LDMOS、 砷化鎵和氮化鎵三分天下，然而隨著射頻應用頻率的增加、化合物半導體應用成本下降， LDMOS 無法滿足更高頻、更高功率的應用要求，化合物半導體材料將逐步侵占 LDMOS應用 空間。氮化鎵同砷化鎵相比具備更強的性能：氮化鎵器件能提供相比砷化鎵器件高十倍的功率 密度，并具備更大的帶寬、更高的放大器增益，減小器件尺寸。同時，氮化鎵器件也擁有更高 的功率，被廣泛應用于基站端。

“宏小結合”，5G基站仍處于建設高峰期。信號覆蓋范圍主要受穿透能力（功率）和衍射 能力影響。5G 基站信號覆蓋范圍相較 4G 基站大幅衰減，自 2 公里左右下降至 200 米左右： 一方面，輻射功率受到國家法規限制，5G穿透能力有限；另一方面，5G采用較高頻段，分布 于 2515-4900MHz 間，頻率越高、波長越短、衍射能力越弱。因此，5G基站采用“宏小結合” 方式實現信號全覆蓋，在宏基站的基礎上，建設小基站以起到中繼作用。根據工信部及Small Cell Forum 數據統計及預測，2020-2022 年我國 5G宏基站將引來建設高峰，最高達 80 萬座， 而 5G小基站建設將逐步擴張，預計將于 2025 年達到頂峰。

氮化鎵射頻（RF）器件市場規模 2025 年將突破 20 億美元。5G基站建設將帶動氮化鎵 RF 器件通信領域快速成長，自 2019 年的 3.18 億美元，成長至2025 年的 7.31 億美元，CAGR 為 15%。此外，軍用雷達等領域也將驅動對氮化鎵器件快速增長，軍用方面，氮化鎵基新型 AESA 系統中 T/R 模塊的增加，以及機載系統對輕量級器件的嚴格要求驅動軍用雷達快速增 長，2025 年軍用氮化鎵射頻器件市場將達到 11.1 億美元，復合增速達到22%。整體來看，氮 化鎵 RF器件市場規模將從 2019 年的 7.4 億美元增長到 2025 年的 20 億美元，復合增速達到12%。

氮化鎵憑借性能與成本優勢，成為快充首選半導體材料。砷化鎵禁帶寬度不夠大，擊穿電 場較低；而碳化硅生長溫度高、質地堅硬，導致制造工藝難度大，成本短時間內居高不下，二 者皆難以在快充領域大規模商用。而氮化鎵適用于中電壓區間（60-1200V）和中等范圍功率， 且制造成本相對更低，更適合用于 toC 端快充應用。據Yole 統計及預測，氮化鎵功率器件快 速發展，2022 年將達到4.5 億美元，快充領域將成為主要成長點。

功耗增加+電池容量限制，快充技術應運而生。伴隨消費升級趨勢，智能手機運行速度、 顯示觀感、數據傳輸等方面需求不斷發展，CPU 運算性能、屏幕分辨率及射頻模組等不斷升 級，相應手機耗電量呈現增長趨勢。然而受制于手機輕薄空間、重量、散熱及成本等因素，手 機電池容量提升空間不大。因而，快充成為解決手機耗電速度增加和電池容量提升空間小之間矛盾的有效途徑。

龍頭廠商紛紛布局，快充領域從混亂趨于統一。國外方面，USB-IF（USB 標準化組織） 發布 Type-C 接口，奠定行業發展基礎，并憑借其 PD協議占據一席之地；高通自 2013年起邁 出快充協議第一步，并不斷進行 QC協議迭代，成為行業技術引領者；聯發科起步較晚，但其 PE快充協議全面普及至 2 大通用 CPU 平臺，極大地加速了快充行業發展。國內方面，OPPO 艱難定制開發，后來居上，成為國產快充領域領軍者；同時，魅族、VIVO、華為等皆在先發快充協議基礎上進行創新，推出自身的快充協議。

全球氮化鎵市場被國外企業壟斷，CR3 高達84%。三安光電氮化鎵業務穩步成長，未來發展空間巨大。氮化鎵產業鏈包括襯底、外延、設計 及制造環節，其中三安光電在外延、制造等環節皆有布局。三安光電在硅基氮化鎵功率器件方 面客戶認證進展順利，2020 年完成約 40 家客戶工程送樣及系統驗證，已拿到 12 家客戶設計 方案，4家進入量產階段。

（四）碳化硅：汽車電動化趨勢下的新星

SiC 性能優異，被廣泛應用于高壓、高頻領域，新能源汽車成為其主要應用領域。SiC比 Si 的絕緣擊穿場強高約10 倍，可耐 600到數千伏高壓，可降低漂移層厚度，從而獲取更低的 漂移層電阻，能夠大幅降低能量損耗。同時，其具備高頻、高功率以及在高溫下工作等優勢， 因而被廣泛應用于電力電子領域。SiC功率器件前三大應用市場 為新能源汽車、電源和光伏，合計占比66.8%，其中新能源汽車占比為 30%，是 SiC功率器件 市場成長主要驅動力。

汽車電動化帶動單車功率半導體價值量大幅提升。電動化方面，新能源汽車主要可以分為純電動汽車（BEV）和混合動力汽車（HEV），目前二者合計占比超過90%，其他類型如燃料電池汽 車占比很小。與傳統汽車相比，新能源汽車的汽車電子成本占比大幅提升。傳統燃油車的車均半導體用量為 338 美元，而功率半導體僅占 21%，為 71 美元。混合動力汽車新增的半導體中 76%是功率半導體，車均增量達到 283美元，功率半導體 價值為傳統汽車的4倍，純電動汽車中的功率半導體價值量則比混合動力汽車中更多，平均來 看，新能源汽車功率半導體單車價值量是傳統燃油車的約 5 倍。

全球汽車功率半導體市場規模2025 年將達到 125 億美元，其中新能源汽車功率半導體規 模將達 73 億美元。預測全球汽車銷量將從2020 年 7210 萬輛增長至 2025年 9380 萬輛，其中，全球新能源汽車銷量將從 2020 年的 340 萬輛增長到 2025 年的 1690 萬輛， 新能汽車滲透率從 2020 年的 4.7%提高到 2025 年的 18.0%。目前，燃油車單車功率半導體成本約 71 美元，新能源汽車單車功率半導體成本約 350美元，其中純電動汽車高于混合動力汽 車。未來，燃油車單車功率半導體成本將基本保持穩定，新能源汽車功率半導體單車 成本將隨著純電動汽車占比提升以及雙電機滲透率增加而繼續提升。預計2025年全球汽 車功率半導體市場規模將達到 72.7 億美元，CAGR 為 15.8%，到 2030年市場規模將繼續增長 至 212.1億美元；新能源汽車功率半導體市場規模2025年將達到72.7億美元，CAGR為 43.6%， 到 2030 年市場規模有望突達到 171.2 億美元。

新能源汽車充電樁的發展將成為功率半導體市場又一重要驅動力。充電樁是新能源汽車 的配套設施。預測 2020 年中美歐新能源汽車充電需求約為 180 億千瓦時， 預計到 2030 年，伴隨新能源汽車滲透率的提升，新能源汽車充電需求將高達 2710億千瓦時。 2020 年中美歐充電樁數量約為 300 萬個，預計到 2030 年增長至 4000 萬個，年復合增速約 30%。作為新能源汽車充電樁的核心零部件，功率半導體用量將在新能源汽車充電設施旺盛需求驅動下大幅增長。目前充電樁平均成本約3200美元，功率半導體約占充電樁成本 20%，預計未來 10 年充電樁功率半導體增量空間將超過200 億美金。

目前車用功率半導體中主要用到 IGBT 和 MOSFET。其中，IGBT是新能源汽車中核心功率半導體部件，在新能源汽車功率半導體中占比約 8 成，是汽車電動化最受益的細分領域。2019年全球插 電式混合動力汽車及純電池電動車共銷售約 220 萬輛，而全球新能源汽車IGBT市場規模約為 6 億美元，由此可推算目前新能源汽車中 IGBT 單車平均價值量約為 270美元，占單車功率半 導體價值量超過 80%。作為電動化下核心受益品種，預計全球新能源汽車IGBT將在未來 幾年實現快速增長，2025 年市場規模達到約 50 億美元。

SiC 功率器件適用于高壓領域，具有更好的性能，可部分替代IGBT。第三代半導體材料 以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石為四大代表。其中，碳化硅的耐高 壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的兩倍，高頻能力是硅的 2倍。相同電氣參數產品，采 用碳化硅材料可縮小體積 50%，降低能量損耗 80%。使用碳化硅材料替代原本硅基材料，可 實現器件體積更小同時能量密度更大。根據英飛凌數據，相比于Si 基材料逆變器，SiC材料逆 變器擁有更低的體積及重量，分別是其 1/3、1/4；同時，Rohm數據顯示，SiC MOSFET在實 際應用中，開關頻率可達 50KHz 以上，是主流 IGBT 開關頻率（最高 20KHz）的兩倍以上， 能量損耗則是其 27%。SiC 基 MOSFET憑借其優良的性能和體積優勢有望替代部分 IGBT。

SiC 基 MOSFET成功打入高端車型，實現從 0 到 1 的突破，將加速滲透。第三代半導體 領先企業 Cree、英飛凌以及特斯拉、豐田等汽車巨頭都在推動 SiC 器件在汽車上的應用，部 分高端車型已經實現從0 到 1 的突破。特斯拉推出第一款集成全 SiC功率模塊車型——Model 3，由特斯拉及意法半導體共同設計，此車型 SiC功率模塊由英飛凌供應。比亞迪推出首款批 量搭載 SiC MOSFET 組件的車型——比亞迪漢EV四驅版，SiC 電控綜合效率高達97%以上。

新能源汽車將成為 SiC 功率器件增長的主要動力。為更好地滿足使用者需求，電動汽車 將持續向更長的行駛里程、更快的充電速度、更大的電池容量發展。隨著電動汽車市場的擴大 以及其他系統的更新換代，SiC 功率半導體將更多地在車載充電器、DC-DC 轉換器和牽引逆 變器等方面應用，帶來 SiC 市場的激增。預測 2019 年全球 SiC 市場規模為 5.41 億美元，預計 2025 年將達到 25.62 億美元，CAGR 為 30%；其中，新能源汽車及充電樁 領域將貢獻 SiC 市場 76.60%的增量，自 2.3 億美元增長至 17.8 億美元，CAGR 達到 41.6%。

碳化硅市場目前主要被海外企業占據，國內企業份額較小。碳化硅產業中襯底是技術壁 壘最高的環節，襯底和外延目前在碳化硅中價值量占比約 60%。 2020年上半年美國Cree公司碳化硅襯底市占率達到 45%，其次為日本的羅姆和美國的II-VI， 國內龍頭山東天岳、天科合達合計市場份額不到10%。國內外差距還最體現在尺寸方面，目前 全球主流尺寸是 6 英寸，Cree 已經研制出8英寸，但國內還以4英寸為主，6英寸還僅是小批 量供應。在碳化硅器件方面，國外 MOSFET 已實現大批量出貨，國內目前主要產品還是集中 在二極管等領域，MOSFET 還沒有能夠大規模出貨。未來隨著國內產能的逐漸釋放，國內企業市占率有望持續提升。

公司是國內 SiC 領域稀缺標的之一，從材料、襯底、外延、設計制造到封測實現全面布 局。三安光電SiC 產品主要為高功率密度 SiC 功率二極管、MOSFET，被用于電力電子領域。 除了三安集成已經 具備的 4 寸片SiC 產線外，公司湖南三安項目已于6 月 23 日正式點火，該項目總投資 160億 元，分兩期建設，主要建設具有自主知識產權的以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶材料為主的第三代 半導體全產業鏈生產與研發基地。湖南三安 SiC 產線采用 6 寸片，遠期規劃產能 3 萬片/月， 未來成長空間廣闊。

（五）進軍濾波器賽道，完善射頻業務布局

濾波器是射頻系統中最重要的組件，肩負接收特定頻段信號、過濾其他頻段信號的重任， 直接影響信號通信質量。射頻前端運作過程中將同時接收各類頻段信號，而所需信號將受到其 他頻段信號的干擾，因此需要濾波器將其他信號進行濾除，從而提高特定信號的抗干擾性、信 噪比及分析精度。2019 年，濾波器占射頻前端市場比例54%，是第一大細分市場。

按制造工藝可將濾波器分為聲表面波濾波器（SAW）和體聲波濾波器（BAW）。其中 SAW 濾波器適用于10MHz-3GHz 頻段、技術成熟、成本較低，而BAW 濾波器適用于 1.5GHz-6GHz、 工藝復雜、成本較高。

5G技術升級+多頻段兼容，驅動濾波器量價齊升。

設計難度升級及產品替代，共同推動濾波器平均單價顯著提升：5G 高頻要求天線、PA、濾波器等射頻組件數量增加，而移動終端有限的空間則對整體集成化提出了新的挑戰；同時， SAW 濾波器無法承擔高頻重任，高頻領域任務將由BAW 濾波器承擔，其中 BAW 成本超過1 美元，相比于SAW 的 0.1-0.5 美元的成本大幅增加。

濾波器市場頭部集中，細分來看，BAW濾波器市場相較于SAW濾波器市場集中度更高， 技術壁壘更強，更具壟斷特征。SAW 濾波器方面，以村田、TDK和太陽誘電為代表的的日系 廠商分列前三甲，牢牢把控第一梯隊，合計占比達 82%，其中村田億 47%的份額占據第一； BAW 濾波器方面，博通一枝獨秀，憑借超強的技術實力及專利布局壟斷行業，占比高達 87%。

國產廠商在濾波器國產替代方面正加速追趕。SAW 方面，已完成中低端布局，正向高端 發展，其中，卓勝微已建立了成熟的 SAW 濾波器研發設計和生產團隊，成功驗證前道設計流 程與后道生產流程，并完成GPS、WiFi和移動通信 SAW的產品量產或出貨；麥捷科技已成功 進入華為供應鏈，代表國產 SAW 高端產品實現從 0 到 1 的突破。BAW 方面，國產廠商技術 已有一定基礎，有待技術積累進一步突破。2019 年，開遠通信宣布推出國產首顆應用在5G n41 頻段的高性能BAW 濾波器產品 EP70N41，成為國產廠商在5G BAW 濾波器的首次突破；2019 年，諾思宣布推出全球首款高功率容量 BAW 濾波器，可滿足基站產品應用場景需求，有助于 解決 5G小尺寸、高性能和高功率的業界痛點問題；2020年，芯和半導體發布首款自主設計和 開發的 BAW 產品，并宣布已向本土無線終端客戶送樣，進入系統客戶的驗證和測試階段。

三安光電濾波器業務快速發展，未來有望以 SAW 技術為根基進軍 BAW 領域。2017 年 起，三安集成設立國際化濾波器研發中心，吸納全球科技人才，全面研發濾波器設計、工藝開 發和高端封裝技術。2020 年第四季度開始，三安集成 SAW 和 TC-SAW 濾波器出貨量大幅攀升，濾波器SAW 和 TC-SAW 產品已開拓客戶41家，其中 17家為國內手機和通信模塊主要客 戶，產品已成功導入手機模塊產業供應鏈。

（六）全產業鏈布局，打造從材料到封裝一站式平臺

三安光電設立全資子公司三安集成，全面布局化合物半導體業務。2014年，廈門市三安 集成電路有限公司注冊成立，2015 年開始實施建設30 萬片/年 GaAs 和 6 萬片/年 GaN外延片 生產線以及 30 萬片/年 GaAs 和 6 萬片/年 GaN 芯片生產線，標志三安光電正式進軍化合物半 導體領域。

在近 7 年的發展時間中，三安集成積極拓展產品研發，基于 GaAs、GaN 和 SiC 技術實 力，形成微波射頻、電力電子、光通訊三大技術平臺，掌握 20 余種各具特色的產品開發制造 能力。2015 年，第一套MPW 流片，HL、HR 樣品首次出貨；2016 年，3G用 HBT HL、2G用 HBT HR 工藝相繼量產出貨；2017 年，4G用 HBT HG、WiFi802.11ac PA、1310nm/1550nm25G PD 相繼量產；2018 年，850nm25G PD、0.15μmpHEMT LNA、P15LN pHEMT產品量產； 2019 年，成功切入 VCSEL 和 5G 基站 PA 市場；2020 年，SiC MOSFET 實現量產，并發布 1200V 80mΩ產品，標志著三安集成技術實力達到新水平。

三安集成產品獲下游高認可度，未來業績確定性強。目前化合物半導體行業內產能缺乏， 客戶尋求代工意愿強烈，三安集成積極進行客戶認證開發，三大業務平臺齊頭并進，獲得客戶 高度評價，產能處于供不應求狀態。在此背景下，伴隨訂購設備的逐步到位，產能逐步釋放， 三安集成業績將穩定發展。

微波射頻業務方面，三安集成產品應用于 2G -5G 手機射頻功放WiFi、物聯網、路由器、 通信基站射頻信號功放、衛星通訊等市場。截至 2020 年，國內外客戶累計近 100家，且成為 國內知名射頻設計公司主力供應商。

電力電子業務方面，三安集成產品主要為高功率密度 SiC 功率二極管、MOSFET及 Si基 GaN 功率器件，被用于新能源汽車、充電樁及光伏領域。其中，碳化硅二極管開拓客戶 182家，送樣客戶 92 家，轉量產客戶 35 家，超過 30 種產品已進入批量量產階段。二極管產品已有 2 款產品通過車載認證，送樣客戶 4家，目前處于封裝測試中。在硅基氮化鎵功率器件方面，完 成約 40 家客戶工程送樣及系統驗證，已拿到 12 家客戶設計方案，4家進入量產階段。

光通訊業務方面，三安集成在保持及擴大現有中低速 PD/MPD 產品的市場領先份額外， 在附加值高的高端產品如 10G APD/25G PD、以及 10G/25G VCSEL 和 DFB發射端產品均已 在行業重要客戶處實現驗證通過，進入實質性批量生產階段，PD出貨量穩步上升，量產客戶 104 家，VCSEL 出貨量快速增長，量產客戶 55 家，DFB 發射端產品從無到有實現銷售突破， 13 家客戶進入轉量產階段。

縱向并購，打通全產業鏈布局。2020 年，三安光電發布公告，其全資子公司湖南三安半 導體擬以現金3.82 億元收購北電新材 100%股權。北電新材成立于 2017 年，從事 SiC產品的 研發、生產及銷售業務，由國家級基金安芯基金投資設立，并于2017 年全資收購瑞典 SiC晶 圓制造商Norstel，并不斷整合，吸收其技術底蘊。2019 年，北電新材將 Norstel股份向意法半 導體出售，標志其已掌握成熟 SiC制造技術，有實力進行自主研發。北電新材產品獲得三安光 電認可，因而被收購并入三安光電體系，助力三安光電完成 SiC原材料布局，打通全產業鏈戰 略規劃。

公司自 2014年開始布局化合物半導體業務，以內生發展為主，外延并購為輔，不斷積累 技術研發、生產經驗，打造自身護城河，目前已成長為國內化合物半導體領軍企業。在 5G及 汽車電動化趨勢下，化合物半導體需求旺盛，隨著公司規劃產能的逐漸釋放，化合物半導體業務 將 迎來 快速增長。預計 2021-2023 年 公司 化合物半導 體業務將實 現營收 23.00/44.00/80.00 億元，同比增長分別為 136.14%/91.30%/81.82%。同時，伴隨公司生產規模 逐漸擴大、生產經驗逐步累積，規模效應及生產效率將逐步發展，我們預計公司化合物半導體 業務毛利率將穩步提升，2021-2023 年分別為 17.00%/23.00%/30.00%。

四、盈利預測

隨著 LED 顯示、背光等需求回暖，行業新興應用不斷涌現，LED行業景氣重新迎來上行 機遇，同時 Mini/Micro LED 商業化加速推進將引領 LED 進入下一輪發展周期。三安光電深 耕 LED 芯片業務，同時多元化布局 Mini/Micro LED、植物照明 LED、車用 LED等新興領域， 預計 2021-2023 年公司 LED 業務板塊將 69.00/88.00/106.00 億元，分別同比增長 38.08%/27.54%/20.45%。同時，隨著疫情影響逐漸減弱，產品價格逐步回升，公司毛利潤將回 到穩定水平，2021-2023 年毛利率水平分別為 12.50%/24.00%/28.00%。

公司前瞻性布局化合物半導體業務，產品技術實力獲下游客戶認證，產能處于供不應求階 段，伴隨公司廠房建設、設備采購逐步到位，新建產能逐步釋放，公司化合物半導體業務業績 將快速成長。預測 2021-2023 年公司化合物半導體業務將實現營收23.00/44.00/80.00億元， 同比增長分別為 136.14%/91.30%/81.82%。同時，公司將逐步積累生產經營經驗，伴隨規模化 效 應 及 生產技術的突破，盈利能力將穩步增長，2021-2023 年毛利率水平分別為 17.00%/23.00%/30.00%。

公司其他業務2020 年實現營收 24.83 億元，其中材料、廢料銷售業務營收23.12億元，同 比增長 43.07%，占總營收比例 27.35%，毛利率高達92.11%。根據公司此前公告，其材料、廢 料業務收入系高純度的貴金屬材料經過高溫熔合蒸鍍之后，殘留在產線、設備等多處地方，需作為貴金屬廢料回收并對外銷售。三安光電貴金屬回收率較高，以 2018年披露數據計算，三 安光電貴金屬廢料營收為 10.7 億元，貴金屬采購總額為 12.53 億元，生產消耗額為 12.53 億 元，實際消耗額為 1.65 億元，回收率高達 86.64%。未來隨著三安光電生產規模擴大，貴金屬 原材料應用增多，其他業務（材料、廢料、租金等）板塊將進一步增長。預計2021-2023 年 公 司 其 他 業 務 版 塊 將 實 現 營 收 35.00/39.00/42.00 億 元 ， 毛 利 率 保 持 分別為 80.00%/75.00%/75.00%。

五、風險提示

LED 復蘇不及預期的風險，公司新產品及項目推進不及預期的風險。

（本文僅供參考，不代表我們的任何投資建議。如需使用相關信息，請參閱報告原文。）

精選報告來源：【未來智庫官網】。「鏈接」