科技改變生活 · 科技引領未來
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隨著人工智能（AI）相關軟硬件激增，為了能夠更好地應對超大規模的市場，以及收獲用戶們的青睞，三星也正在向市場推出基于特定應用要求的存儲組合產品，包括DDR5、HBM類產品、CXL內存模塊等，為各種人工智能技術提供動力。
近日，三星官方介紹了旗下存儲產品的開發和技術應用情況。其中談到了正在開發一種新型存儲器，稱為“Low Latency Wide I/O（LLW）DRAM”，將高帶寬、低延遲、低功耗的特性結合在一起。三星將新的內存技術定位在需要運行大型語言模型（LLM）的設備上，未來也可能會出現在各種客戶端工作負載中。
據介紹，LLW DRAM作為一種低功耗內存，擁有寬I/O、低延遲、每個模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬，與一個128位DDR5-8000內存子系統的帶寬相同。LLW DRAM另一個重要特性是1.2pJ/bit的超低功耗，不過三星沒有告知該功耗下的具體數據傳輸速率。
事實上，三星并沒有透露LLW DRAM太多的細節信息，盡管已經對寬接口內存技術（比如GDDR6W）探索了一段時間了。據了解，LLW DRAM在設計上可能會借鑒GDDR6W，并采用扇出晶圓級封裝（FOWLP）技術將多個DRAM集成到一個封裝中。
據悉，由于三星已公布技術的預期性能細節，根據過往的經驗，LLW DRAM很可能到了開發階段的尾聲。
劉陽